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BFP 720 H6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V SOT343; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：4.7V; 频率_转换：45GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz; 增益：10.5dB ~ 28.5dB; 功率_最大：100mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 13mA，3V; 电流_集电极333Ic444（最大）：25mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-82A，SOT-343; 供应商设备封装：SOT-343; 包装：带卷 (TR)

BFP 720 H6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V SOT343; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：4.7V; 频率_转换：45GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz; 增益：10.5dB ~ 28.5dB; 功率_最大：100mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 13mA，3V; 电流_集电极333Ic444（最大）：25mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-82A，SOT-343; 供应商设备封装：SOT-343; 包装：剪切带 (CT)

BFP 720 H6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V SOT343; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：4.7V; 频率_转换：45GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz; 增益：10.5dB ~ 28.5dB; 功率_最大：100mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 13mA，3V; 电流_集电极333Ic444（最大）：25mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-82A，SOT-343; 供应商设备封装：SOT-343; 包装：Digi-Reel®

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C1812C823J1GACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 0.082UF 100V 5% NP0 1812
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BFP 720 H6327
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C0603C154J4RACTU
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BR24L04FVT-WE2
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C0805C272K3RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2700PF 25V 10% X7R 0805
BMI-S-102
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 0805（2012 公制） BOARD SHIELD .65X.65" 1PIECE
C0603X5R0J473K
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 0.047UF 6.3V X5R 0201
BFN 39 H6327
晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA TRANS RF PNP 300V SOT223
BR24L04FVT-WE2
存储器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC EEPROM 4KBIT 400KHZ 8TSSOP
C0603C154K4RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.15UF 16V 10% X7R 0603
C0805C272K5HACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2700PF 50V 10% X8R 0805
BMI-S-102
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